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APTC90AM60T1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APTC90AM60T1G
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APTC90AM60T1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.5V @ 6mA
  • Paquete del dispositivo
    SP1
  • Serie
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    60 mOhm @ 52A, 10V
  • Potencia - Max
    462W
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    SP1
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    13600pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    540nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Característica de FET
    Super Junction
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    900V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP1
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    59A

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