APTC90HM60T3G

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Especificaciones

Número de pieza

APTC90HM60T3G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APTC90HM60T3G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 6mA
Paquete del dispositivo

SP3
Serie

CoolMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

60 mOhm @ 52A, 10V
Potencia - Max

462W
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

SP3
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13600pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

540nC @ 10V
Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)
Característica de FET

Super Junction
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

900V
Descripción detallada

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

59A

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Los siguientes son productos relacionados con "APTC90HM60T3G".

APTCFGP2VTR

Descripción: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

Fabricantes: APEM Inc.

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