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APTM100A23SCTG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APTM100A23SCTG
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.APTM100A23SCTG.pdf
    2.APTM100A23SCTG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    5V @ 5mA
  • Paquete del dispositivo
    SP4
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    270 mOhm @ 18A, 10V
  • Potencia - Max
    694W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SP4
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    8700pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    308nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Característica de FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    1000V (1kV)
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 36A 694W Chassis Mount SP4
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    36A

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