Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > APTM100A12STG
RFQs/Orden (0)
español
español
5788972

APTM100A12STG

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    APTM100A12STG
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APTM100A12STG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    5V @ 10mA
  • Paquete del dispositivo
    SP3
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    120 mOhm @ 34A, 10V
  • Potencia - Max
    1250W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SP3
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    17400pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    616nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    1000V (1kV)
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 68A 1250W Chassis Mount SP3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    68A

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "APTM100A12STG".
APTM100A13SCG

APTM100A13SCG

Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100A23SCTG

APTM100A23SCTG

Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM08TAM04PG

APTM08TAM04PG

Descripción: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTLGF350A608G

APTLGF350A608G

Descripción: POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100A23STG

APTM100A23STG

Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100AM90FG

APTM100AM90FG

Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100A18FTG

APTM100A18FTG

Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTLGL325A1208G

APTLGL325A1208G

Descripción: POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTLGF300A1208G

APTLGF300A1208G

Descripción: POWER MOD IGBT PHASE LEG LP8

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTLGT300A1208G

APTLGT300A1208G

Descripción: MOD IGBT 1200V 440A LP8

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100A13DG

APTM100A13DG

Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100A46FT1G

APTM100A46FT1G

Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTLVTR

APTLVTR

Descripción: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

Fabricantes: APEM Inc.
Existencias disponibles
RFQ
APTLGVTR

APTLGVTR

Descripción: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

Fabricantes: APEM Inc.
Existencias disponibles
RFQ
APTM100DA18CT1G

APTM100DA18CT1G

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTLGT400A608G

APTLGT400A608G

Descripción: POWER MOD INTELLIGENT PH LEG LP8

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM08TDUM04PG

APTM08TDUM04PG

Descripción: MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100A13SG

APTM100A13SG

Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM-AMBPA012-001

APTM-AMBPA012-001

Descripción: NUT M12X1.5 BRASS C3604

Fabricantes: Amphenol LTW
Existencias disponibles
RFQ
APTM100A40FT1G

APTM100A40FT1G

Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.