Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > APTM100SK18TG
RFQs/Orden (0)
español
español
214666

APTM100SK18TG

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    APTM100SK18TG
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.APTM100SK18TG.pdf
    2.APTM100SK18TG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    5V @ 5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SP4
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    210 mOhm @ 21.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    780W (Tc)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SP4
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    10400pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    372nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    1000V
  • Descripción detallada
    N-Channel 1000V 43A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SP4
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    43A (Tc)

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "APTM100SK18TG".
APTM100DU18TG

APTM100DU18TG

Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100DUM90G

APTM100DUM90G

Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100UM45DAG

APTM100UM45DAG

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100TA35SCTPG

APTM100TA35SCTPG

Descripción: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100TDU35PG

APTM100TDU35PG

Descripción: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100UM45FAG

APTM100UM45FAG

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100H80FT1G

APTM100H80FT1G

Descripción: MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100UM60FAG

APTM100UM60FAG

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 129A SP6

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100SK40T1G

APTM100SK40T1G

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100H45FT3G

APTM100H45FT3G

Descripción: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100H35FTG

APTM100H35FTG

Descripción: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100H46FT3G

APTM100H46FT3G

Descripción: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100SKM90G

APTM100SKM90G

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100SK33T1G

APTM100SK33T1G

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

Descripción: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100H45STG

APTM100H45STG

Descripción: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100U13SG

APTM100U13SG

Descripción: MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100TA35FPG

APTM100TA35FPG

Descripción: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

Descripción: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
APTM100H18FG

APTM100H18FG

Descripción: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Fabricantes: Microsemi
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.