APTM100H46FT3G

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Especificaciones

Número de pieza

APTM100H46FT3G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APTM100H46FT3G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 2.5mA
Paquete del dispositivo

SP3
Serie

POWER MOS 8™
RDS (Max) @Id, Vgs

552 mOhm @ 16A, 10V
Potencia - Max

357W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP3
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

260nC @ 10V
Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V (1kV)
Descripción detallada

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

19A

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APTM100H80FT1G

Descripción: MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Fabricantes: Microsemi

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