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2326847Imagen APTM10TDUM09PGMicrosemi

APTM10TDUM09PG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APTM10TDUM09PG
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APTM10TDUM09PG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 2.5mA
  • Paquete del dispositivo
    SP6-P
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    10 mOhm @ 69.5A, 10V
  • Potencia - Max
    390W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SP6
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    9875pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    350nC @ 10V
  • Tipo FET
    6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP6-P
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    139A

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