1978066

APTM10HM19FT3G

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Especificaciones

Número de pieza

APTM10HM19FT3G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APTM10HM19FT3G.pdf
2.APTM10HM19FT3G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Paquete del dispositivo

SP3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

21 mOhm @ 35A, 10V
Potencia - Max

208W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP3
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

200nC @ 10V
Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

70A

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APTM10TAM19FPG

Descripción: MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P

Fabricantes: Microsemi

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