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6476943Imagen APTM120H29FGMicrosemi

APTM120H29FG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APTM120H29FG
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.APTM120H29FG.pdf
    2.APTM120H29FG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    5V @ 5mA
  • Paquete del dispositivo
    SP6
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    348 mOhm @ 17A, 10V
  • Potencia - Max
    780W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SP6
  • Otros nombres
    APTM120H29FGMI
    APTM120H29FGMI-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    10300pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    374nC @ 10V
  • Tipo FET
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    1200V (1.2kV)
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP6
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    34A

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