APTM120SK56T1G

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Especificaciones

Número de pieza

APTM120SK56T1G
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.APTM120SK56T1G.pdf
2.APTM120SK56T1G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SP1
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

672 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo)

390W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP1
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7736pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

300nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1200V
Descripción detallada

N-Channel 1200V 18A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SP1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "APTM120SK56T1G".

APTM120H57FTG

Descripción: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4

Fabricantes: Microsemi

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