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APTMC120AM12CT3AG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APTMC120AM12CT3AG
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 1200V 220A SP3F
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APTMC120AM12CT3AG.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.4V @ 30mA (Typ)
  • Paquete del dispositivo
    SP3
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    12 mOhm @ 150A, 20V
  • Potencia - Max
    925W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SP3
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    8400pF @ 1000V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    483nC @ 20V
  • Tipo FET
    2 N Channel (Phase Leg)
  • Característica de FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    1200V (1.2kV)
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 220A (Tc) 925W Chassis Mount SP3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    220A (Tc)

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