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APTML10UM09R004T1AG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APTML10UM09R004T1AG
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 154A SP1
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APTML10UM09R004T1AG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SP1
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    10 mOhm @ 69.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    480W (Tc)
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SP1
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    9875pF @ 25V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 154A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    154A (Tc)

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