APTMC170AM60CT1AG

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Especificaciones

Número de pieza

APTMC170AM60CT1AG
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

APTMC170AM60CT1AG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.3V @ 2.5mA (Typ)
Paquete del dispositivo

SP1
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

60 mOhm @ 50A, 20V
Potencia - Max

350W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

SP1
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3080pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

190nC @ 20V
Tipo FET

2 N Channel (Phase Leg)
Característica de FET

Silicon Carbide (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1700V (1.7kV)
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1700V (1.7kV) 50A (Tc) 350W Chassis Mount SP1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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APTML1002U60R020T3AG

Descripción: MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3

Fabricantes: Microsemi

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