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APTMC170AM60CT1AG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    APTMC170AM60CT1AG
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 1700V 53A SP1
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    APTMC170AM60CT1AG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.3V @ 2.5mA (Typ)
  • Paquete del dispositivo
    SP1
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    60 mOhm @ 50A, 20V
  • Potencia - Max
    350W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    SP1
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3080pF @ 1000V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    190nC @ 20V
  • Tipo FET
    2 N Channel (Phase Leg)
  • Característica de FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    1700V (1.7kV)
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1700V (1.7kV) 50A (Tc) 350W Chassis Mount SP1
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

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