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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > JAN2N5416

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JAN2N5416

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Especificaciones

Número de pieza

JAN2N5416
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 300V 1A TO5
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

JAN2N5416.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

300V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

2V @ 5mA, 50mA
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

TO-5
Serie

Military, MIL-PRF-19500/485
Potencia - Max

750mW
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Otros nombres

1086-21051
1086-21051-MIL
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 1A 750mW Through Hole TO-5
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

1mA
Corriente - colector (Ic) (Max)

1A

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