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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > JAN2N5663

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JAN2N5663

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Especificaciones

Número de pieza

JAN2N5663
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 300V 2A TO-5
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

JAN2N5663.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

300V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 400mA, 2A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-5
Serie

Military, MIL-PRF-19500/454
Potencia - Max

1W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Otros nombres

1086-16158
1086-16158-MIL
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 2A 1W Through Hole TO-5
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 500mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

200nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

2A

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