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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-RF > MDS500L

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MDS500L

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25+

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Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

MDS500L
Fabricante / Marca

Microsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS RF BIPO 833W 24A 55ST1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MDS500L.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

70V
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

55ST
Serie

-
Potencia - Max

833W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

55ST
Temperatura de funcionamiento

200°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f)

-
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Ganancia

9.2dB
Frecuencia - Transición

1.03GHz ~ 1.09GHz
Descripción detallada

RF Transistor NPN 70V 24A 1.03GHz ~ 1.09GHz 833W Chassis Mount 55ST
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V
Corriente - colector (Ic) (Max)

24A

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