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MDS60L

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MDS60L
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS RF BIPO 120W 4A 55AW1
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MDS60L.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    65V
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    55AW
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    120W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    55AW
  • Temperatura de funcionamiento
    200°C (TJ)
  • La figura de ruido (dB Typ @ f)
    -
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    32 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ganancia
    10dB
  • Frecuencia - Transición
    1.03GHz ~ 1.09GHz
  • Descripción detallada
    RF Transistor NPN 65V 4A 1.03GHz ~ 1.09GHz 120W Chassis Mount 55AW
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    20 @ 500mA, 5V
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    4A

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