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MRF5812R2

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2500+
$1.357
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Especificaciones
  • Número de pieza
    MRF5812R2
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    MRF5812R2.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    200mA
  • Tensión - Desglose
    8-SO
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    18V
  • Serie
    -
  • Estado RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Resistencia - Base (R1) (Ohms)
    5GHz
  • Potencia - Max
    1.25W
  • Polarización
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de pieza del fabricante
    MRF5812R2
  • Ganancia
    2dB @ 500MHz
  • Frecuencia - Transición
    50 @ 50mA, 5V
  • Tipo FET
    15.5dB
  • Descripción ampliada
    RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
  • Descripción
    RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    NPN

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