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S200-50

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S200-50
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS RF BIPO 110V 30A 55HX
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    S200-50.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    110V
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    55HX
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    320W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    55HX
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • La figura de ruido (dB Typ @ f)
    -
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ganancia
    12dB ~ 14.5dB
  • Frecuencia - Transición
    1.5MHz ~ 30MHz
  • Descripción detallada
    RF Transistor NPN 110V 30A 1.5MHz ~ 30MHz 320W Chassis Mount 55HX
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    10 @ 1A, 5V
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    30A

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