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1777307Imagen SG2003J-883BMicrosemi

SG2003J-883B

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SG2003J-883B
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SG2003J-883B.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.6V @ 500µA, 350mA
  • Tipo de transistor
    7 NPN Darlington
  • Paquete del dispositivo
    16-CDIP
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    16-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • Otros nombres
    1259-1081
    1259-1081-MIL
    Q10386303
    SG2003J883B
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 350mA, 2V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    -
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    500mA

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