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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-RF > BFU725F/N1,115

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Imagen BFU725F/N1,115

NXP Semiconductors / Freescale

BFU725F/N1,115

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Especificaciones

Número de pieza

BFU725F/N1,115
Fabricante / Marca

Freescale / NXP Semiconductors
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANSISTOR NPN 40MA SOT343
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

BFU725F/N1,115.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

2.8V
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

4-SO
Serie

-
Potencia - Max

136mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-343 Reverse Pinning
Otros nombres

568-5111-1
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f)

0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Ganancia

10dB ~ 24dB
Frecuencia - Transición

55GHz
Descripción detallada

RF Transistor NPN 2.8V 40mA 55GHz 136mW Surface Mount 4-SO
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 10mA, 2V
Corriente - colector (Ic) (Max)

40mA
Número de pieza base

BFU725

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