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4915212Imagen PMF3800SN,115NXP Semiconductors / Freescale

PMF3800SN,115

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Especificaciones
  • Número de pieza
    PMF3800SN,115
  • Fabricante / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    3.3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-323-3
  • Serie
    TrenchMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    4.5 Ohm @ 500mA, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    560mW (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SC-70, SOT-323
  • Otros nombres
    568-11275-1
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    40pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    0.85nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 260mA (Ta) 560mW (Tc) Surface Mount SOT-323-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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Fabricantes: Panduit
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Descripción: PROCESSOR MODULE FOR ICE4000

Fabricantes: Micrel / Microchip Technology
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PMF250XNEX

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Descripción: MOSFET N-CHANNEL 30V 1A SC70

Fabricantes: Nexperia
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