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4047861Imagen PMF63UN,115NXP Semiconductors / Freescale

PMF63UN,115

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Especificaciones
  • Número de pieza
    PMF63UN,115
  • Fabricante / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 20V 1.8A SOT323
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-323-3
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    74 mOhm @ 1.8A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    275mW (Ta), 1.785W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-70, SOT-323
  • Otros nombres
    568-10785-2
    934066616115
    PMF63UN,115-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    185pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    3.3nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    N-Channel 20V 1.8A (Ta) 275mW (Ta), 1.785W (Tc) Surface Mount SOT-323-3
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