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PMWD19UN,518

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Especificaciones
  • Número de pieza
    PMWD19UN,518
  • Fabricante / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    PMWD19UN,518.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    700mV @ 1mA
  • Paquete del dispositivo
    8-TSSOP
  • Serie
    TrenchMOS™
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    23 mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Potencia - Max
    2.3W
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Otros nombres
    568-2361-6
    PMWD19UN518
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1478pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    28nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.6A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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