1482008

PSMN3R9-25MLC,115

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Especificaciones

Número de pieza

PSMN3R9-25MLC,115
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PSMN3R9-25MLC,115.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.15V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

LFPAK33
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4.15 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

69W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Otros nombres

1727-7142-2
568-9575-2
568-9575-2-ND
934066945115
PSMN3R925MLC115
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1524pF @ 12.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

21.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 70A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount LFPAK33
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

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Envío
Forma de pago

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09/10/2024

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Descripción: MOSFET N-CH 30V QFN3333

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale

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