PSMN4R1-60YLX

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Especificaciones

Número de pieza

PSMN4R1-60YLX
Fabricante / Marca

Nexperia
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

PSMN4R1-60YLX.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.1V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

LFPAK56, Power-SO8
Serie

TrenchMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

4.1 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

238W (Ta)
Paquete / Cubierta

SC-100, SOT-669
Otros nombres

934069893115
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7853pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

103nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 100A (Ta) 238W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Ta)

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Forma de pago

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