HCT7000MTXV

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Especificaciones

Número de pieza

HCT7000MTXV
Fabricante / Marca

Optek Technology/TT Electronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

HCT7000MTXV.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±40V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

3-SMD
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

5 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

300mW (Ta)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

3-SMD, No Lead
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount 3-SMD
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

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HCTE-0281-0-SP-CS7711

Descripción: HOSE CORRUGATED ETFE

Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity

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