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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > UNR411F00A

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Imagen UNR411F00A

Panasonic

UNR411F00A

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Especificaciones

Número de pieza

UNR411F00A
Fabricante / Marca

Panasonic
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

UNR411F00A.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor

PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

NS-B1
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potencia - Max

300mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

NS-B1
Otros nombres

UN411F-(TA)
UNR411F00ATB
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

80MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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