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6274904Imagen UNR412200APanasonic

UNR412200A

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Especificaciones
  • Número de pieza
    UNR412200A
  • Fabricante / Marca
    Panasonic
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    UNR412200A.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 100mA
  • Tipo de transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    NS-B1
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potencia - Max
    300mW
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    3-SSIP
  • Otros nombres
    UNR412200ACT
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    200MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole NS-B1
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    50 @ 100mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    500mA

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