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QJD1210SA1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    QJD1210SA1
  • Fabricante / Marca
    Powerex, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.QJD1210SA1.pdf
    2.QJD1210SA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.6V @ 34mA
  • Paquete del dispositivo
    Module
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    17 mOhm @ 100A, 15V
  • Potencia - Max
    520W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    Module
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    8200pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    330nC @ 15V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Standard
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    1200V (1.2kV)
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 520W Chassis Mount Module
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    100A

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