Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

*Nombre de la empresa
*Nombre
*Título

*Dirección de correo electrónico
*Número de teléfono

*País
*Ventana de contacto
*Fecha del evento

*Mensajes

Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.

Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Diodos-rectificadores-Single > R6031425HSYA

RFQs/Orden (0)

español

español

6041272

R6031425HSYA

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

30+

$95.796

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

R6031425HSYA
Fabricante / Marca

Powerex, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

R6031425HSYA.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

2V @ 800A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

1400V
Paquete del dispositivo

DO-205AB, DO-9
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

1µs
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

DO-205AB, DO-9, Stud
Temperatura de funcionamiento - Junction

-45°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Chassis, Stud Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 1400V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
Corriente - Fuga inversa a Vr

50mA @ 1400V
Corriente - rectificada media (Io)

250A
Capacitancia Vr, F

-

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

AMD lanza la construcción de la segunda fase del Bangalore...

La tarjeta gráfica NVIDIA RTX 5090 tiene un área de GPU d...

Anthrope recibe otra inversión de $ 4 mil millones de Amaz...

Semi: las ventas de IC aumentan en un 12% en el tercer ...

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Envío

Pago

Los siguientes son productos relacionados con "R6031425HSYA".

R6030KNXC7

Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R6031225HSYA

R6031225HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6031025HSYA

R6031025HSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R60400-1STR

R60400-1STR

Descripción: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)

Existencias disponibles

R6030KNZC8

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R60400-3CR

R60400-3CR

Descripción: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)

Existencias disponibles

R6035ENZC8

Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R6031435ESYA

R6031435ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6035ENZ1C9

Descripción: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R6031222PSYA

R6031222PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6031022PSYA

R6031022PSYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6030MNX

Descripción: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R6046ANZ1C9

Descripción: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R6031035ESYA

R6031035ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6030KNZ1C9

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R60400-1STRM

R60400-1STRM

Descripción: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)

Existencias disponibles

R60400-1CR

R60400-1CR

Descripción: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)

Existencias disponibles

R6031235ESYA

R6031235ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.

Existencias disponibles

R6035KNZC8

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

R6035KNZ1C9

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

Existencias disponibles

Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.

¡Síguenos!

Términos y condiciones Política de infracción Solicitar presupuesto Sobre nosotros Contáctenos Mapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.