R6030KNXC7

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Especificaciones

Número de pieza

R6030KNXC7
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

R6030KNXC7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220FM
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

130 mOhm @ 14.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

86W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

13 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

56nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 30A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220FM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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R6030635ESYA

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Fabricantes: Powerex, Inc.

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