NP82N03PUG-E1-AY

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Especificaciones

Número de pieza

NP82N03PUG-E1-AY
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 82A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NP82N03PUG-E1-AY.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263 (D²Pak)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.8 mOhm @ 41A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.8W (Ta), 143W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9080pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

160nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 143W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

82A (Tc)

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