NP83P06PDG-E1-AY

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Especificaciones

Número de pieza

NP83P06PDG-E1-AY
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 60V 83A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NP83P06PDG-E1-AY.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

8.8 mOhm @ 41.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.8W (Ta), 150W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

NP83P06PDG-E1-AY-ND
NP83P06PDG-E1-AYTR
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10100pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

190nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

P-Channel 60V 83A (Tc) 1.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

83A (Tc)

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