RJK0328DPB-01#J0

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Especificaciones

Número de pieza

RJK0328DPB-01#J0
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RJK0328DPB-01#J0.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

LFPAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.1 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

65W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-100, SOT-669
Otros nombres

RJK0328DPB-01#J0TR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6380pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

42nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 60A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount LFPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Ta)

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