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RJK0353DPA-WS#J0B

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RJK0353DPA-WS#J0B
  • Fabricante / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    WPAK(3F) (5x6)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    5.2 mOhm @ 17.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    40W (Ta)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerVDFN
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2180pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 35A (Ta) 40W (Ta) Surface Mount WPAK(3F) (5x6)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    35A (Ta)

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Fabricantes: Renesas Electronics America
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Descripción: MOSFET N-CH 30V 65A WPAK

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 50A WPAK

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 40A WPAK

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 45A WPAK

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 35A WPAK

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