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RJU4351TDPP-EJ#T2

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RJU4351TDPP-EJ#T2
  • Fabricante / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GP 430V 10A TO220FP-2L
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RJU4351TDPP-EJ#T2.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.9V @ 10A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    430V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220FP-2L
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    25ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-2 Full Pack
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 430V 10A Through Hole TO-220FP-2L
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    1µA @ 430V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    10A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU6053SDPE-00#J3

RJU6053SDPE-00#J3

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU60C2TDPP-EJ#T2

RJU60C2TDPP-EJ#T2

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220FP

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU3051SDPE-00#J3

RJU3051SDPE-00#J3

Descripción: DIODE GEN PURP 360V 10A LDPAK

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU6052SDPE-00#J3

RJU6052SDPE-00#J3

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 20A LDPAK

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU6054SDPE-00#J3

RJU6054SDPE-00#J3

Descripción: DIODE GEN PURP 600V 30A LDPAK

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU6054TDPP-EJ#T2

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU6053TDPP-EJ#T2

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FP

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU6053WDPP-M0#T2

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220FL

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU4352TDPP-EJ#T2

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Descripción: DIODE GP 430V 20A TO220FP-2L

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU4352SDPE-00#J3

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Descripción: DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU002N06T106

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Descripción: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RJU3052SDPD-E0#J2

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Descripción: DIODE GEN PURP 360V 20A TO252

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU4351SDPE-00#J3

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Descripción: DIODE GEN PURP 430V 10A LDPAK

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU4352SDPD-E0#J2

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Descripción: DIODE GEN PURP 430V 20A TO252

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU002N06FRAT106

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Descripción: 2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
RJU60C3SDPD-E0#J2

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 10A TO252

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU003N03T106

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Existencias disponibles
RFQ
RJU60C2SDPD-E0#J2

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Fabricantes: Renesas Electronics America
Existencias disponibles
RFQ
RJU6052SDPD-E0#J2

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 20A TO252

Fabricantes: Renesas Electronics America
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