RJU003N03T106

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Especificaciones

Número de pieza

RJU003N03T106
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RJU003N03T106.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

UMT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.1 Ohm @ 300mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

200mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-70, SOT-323
Otros nombres

RJU003N03T106TR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

24pF @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

300mA (Ta)

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RJU4352SDPE-00#J3

Descripción: DIODE GEN PURP 430V 20A LDPAK

Fabricantes: Renesas Electronics America

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