UPA2600T1R-E2-AX

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Especificaciones

Número de pieza

UPA2600T1R-E2-AX
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 7A 6SON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

UPA2600T1R-E2-AX.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-HUSON (2x2)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

19.1 mOhm @ 3.5A, 2.5V
La disipación de energía (máximo)

2.4W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 7A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-HUSON (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta)

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UPA2690T1R-E2-AX

Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON

Fabricantes: Renesas Electronics America