UPA2670T1R-E2-AX

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Especificaciones

Número de pieza

UPA2670T1R-E2-AX
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

UPA2670T1R-E2-AX.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Paquete del dispositivo

6-HUSON (2x2)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

79 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Potencia - Max

2.3W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-WDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

473pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.1nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate, 1.8V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3A 2.3W Surface Mount 6-HUSON (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3A

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UPA2600T1R-E2-AX

Descripción: MOSFET N-CH 20V 7A 6SON

Fabricantes: Renesas Electronics America

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