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UPA2766T1A-E1-AY

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Especificaciones
  • Número de pieza
    UPA2766T1A-E1-AY
  • Fabricante / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 130A 8SON
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    UPA2766T1A-E1-AY.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-HVSON (5.4x5.15)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.82 mOhm @ 39A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.5W (Ta), 83W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerVDFN
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    10850pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    257nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 130A (Ta) 1.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (5.4x5.15)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    130A (Ta)

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Fabricantes: Renesas Electronics America
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RFQ
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Descripción: MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

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Descripción: TRANSISTOR

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Descripción: MOSFET P-CH 30V 85A 8-SON

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Descripción: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

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