UPA2812T1L-E1-AT

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Especificaciones

Número de pieza

UPA2812T1L-E1-AT
Fabricante / Marca

Renesas Electronics Corporation
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

UPA2812T1L-E1-AT.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-HVSON (3x3.3)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4.8 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.5W (Ta), 52W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3740pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

100nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 30A (Tc) 1.5W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount 8-HVSON (3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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