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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > BUR51
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3367523Imagen BUR51STMicroelectronics

BUR51

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Especificaciones
  • Número de pieza
    BUR51
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 200V 60A TO-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    BUR51.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    200V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.5V @ 5A, 50A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    350W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-204AA, TO-3
  • Otros nombres
    497-2633-5
  • Temperatura de funcionamiento
    200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    16MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 60A 16MHz 350W Chassis Mount TO-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    20 @ 5A, 4V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1mA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    60A

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27/09/2024
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