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208761Imagen STD3N95K5AGSTMicroelectronics

STD3N95K5AG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STD3N95K5AG
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    STD3N95K5AG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    DPAK
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ K5
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    5 Ohm @ 1A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    45W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    105pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    3.4nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    950V
  • Descripción detallada
    N-Channel 950V 2A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    2A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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