STD3NK80Z-1

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Especificaciones

Número de pieza

STD3NK80Z-1
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STD3NK80Z-1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 50µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

SuperMESH™
RDS (Max) @Id, Vgs

4.5 Ohm @ 1.25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

70W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

497-12557-5
STD3NK80Z-1-ND
STD3NK80Z1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

485pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

19nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 2.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Tc)

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STD3N65M6

Descripción: MOSFET N-CH 650V DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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