STD3NM60N

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Especificaciones

Número de pieza

STD3NM60N
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STD3NM60N.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

DPAK
Serie

MDmesh™ II
RDS (Max) @Id, Vgs

1.8 Ohm @ 1.65A, 10V
La disipación de energía (máximo)

50W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

497-13089-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

188pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 3.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A (Tc)

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STD40NF3LLT4

Descripción: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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