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2377303Imagen STH110N10F7-6STMicroelectronics

STH110N10F7-6

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STH110N10F7-6
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    STH110N10F7-6.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    H2PAK-6
  • Serie
    DeepGATE™, STripFET™ VII
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    6.5 mOhm @ 55A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    150W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Otros nombres
    497-13837-2
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    5117pF @ 50V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 110A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    110A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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