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STH110N8F7-2

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Especificaciones
  • Número de pieza
    STH110N8F7-2
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    H2Pak-2
  • Serie
    STripFET™ F7
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    6.6 mOhm @ 55A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    170W (Tc)
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    38 Weeks
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    3200pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    80V
  • Descripción detallada
    N-Channel 80V 110A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    110A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

27/09/2024
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