STI11NM80

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Especificaciones

Número de pieza

STI11NM80
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STI11NM80.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I2PAK (TO-262)
Serie

MDmesh™
RDS (Max) @Id, Vgs

400 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

150W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

497-13106-5
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1630pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

43.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 11A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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Descripción: SQUARE THREADED INSERT:NYL BLACK

Fabricantes: Essentra Components

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