STI12N65M5

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Especificaciones

Número de pieza

STI12N65M5
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STI12N65M5.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I2PAK
Serie

MDmesh™ V
RDS (Max) @Id, Vgs

430 mOhm @ 4.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

70W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

497-11326-5
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 8.5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.5A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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